功率半導(dǎo)體器件（Powersemiconductor device）也被稱(chēng)為電力電子器件，是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。其作用是在高電壓或大電流條件下，改變電壓和頻率，或?qū)⒅绷鬓D(zhuǎn)換為交流、交流轉(zhuǎn)換為直流等形式的電力轉(zhuǎn)換，包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。

功率半導(dǎo)體器件通常有三類(lèi)產(chǎn)品形式，一類(lèi)是電源管理IC，一類(lèi)是功率模塊，還有一類(lèi)是功率分立器件。早期的功率分立器件有大功率二極管和晶閘管等，后期的功率分立器件主要是以MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。

 的封裝制造過(guò)程，不僅需要考慮到焊料的印刷性（點(diǎn)涂性）、焊接的可靠性、助焊劑殘留的清洗性、助焊劑殘留和塑封料的兼容性等，還需要考慮到功率器件的大電流、高發(fā)熱量、超高功率的特性。功率器件向著更小晶粒面積發(fā)展的趨勢(shì)能帶來(lái)性能和成本方面的優(yōu)勢(shì)，也會(huì)帶來(lái)散熱方面的劣勢(shì)；向更高的電壓和更低的損耗方向的發(fā)展，則要求焊接層有更小的空洞率，這也加大了我們對(duì)于電子材料的均一性，穩(wěn)定性，顆粒集中度有了更的高要求。

 通過(guò)使用真空攪拌機(jī)以及三輥研磨機(jī)，可有效的抑制空洞產(chǎn)生并提高產(chǎn)品的性能。