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新技術滿足了新一代應用
新一代無線應用、自動化測試與計量、醫(yī)療儀器及成像、便攜式計算設備等都需要高性能模擬組件，而且對低功耗的要求越來越高。各公司均推出*工藝技術以滿足上述要求，如zui近推出的第三代*絕緣的補償雙極工藝 BiCom-III。
多年來，應高性能模擬設計的要求，我們推出了 ±15V、±8V 等一代分離電源 (split power supply) 電壓，zui近又推出了 ±5V 電壓，以實現現有放大器的全部性能。高性能模擬的現代潮流正向 +5V、+3V 乃至更低工作電壓的單電源方向發(fā)展。由于產生的電壓降低，這就降低了電源成本，也為低功耗應用節(jié)省了能量。如果信號的可用電壓擺幅也必須減小，上述低壓還能對可用動態(tài)范圍施加影響，這是模擬設計的一大優(yōu)勢。
噪聲有多種形式。在放大器中，噪聲主要由閃爍噪聲（常稱作 1/f 噪聲，因其與頻率成 1:1 反對數關系）、熱噪聲以及散射噪聲等構成。
在放大器中，寄生信號是諧波失真或互調的產物，由放大器的非線性生成。在運算放大器 (op amp) 中，電源電壓降低通常會導致信號電平降低，因為可用來操作放大器內晶體管的電壓下降了。當噪聲與失真為常量時，SNR 與 SFDR 的降幅相當。為了重新獲得動態(tài)范圍，用于制造運算放大器的工藝與架構必須具備的噪聲與失真性能，而且晶體管正常工作時所需的電源開銷較低，工藝技術與*的電路架構還要實現重大突破。
BiCom-III 是一種專為超高精度模擬集成電路而開發(fā)的硅鍺 (SiGe) 工藝。它是電介質絕緣的硅基工藝--在基區(qū)加鍺。在基區(qū)加鍺大大增強了載體移動性，并實現了極快的瞬變時間。該工藝可生產真正補償雙極 NPN 與 PNP 晶體管，其瞬時 (transit) 頻率 (fT) 為 18-19GHz，zui大頻率 (fmax) 為 40-60GHz?；パa晶體管實現了對高速高性能模擬電路設計至關重要的 AB 類放大級。
BiCom-III 工藝針對工作電壓為 3V 至 5V、溫度范圍廣的晶體管而設計，同時實現 18-19GHz 范圍內的 fT，而 fmax 值則達 40-50 GHz 的范圍。fT 的值反映出其性能比同類競爭互補技術要提高近三倍。電介質絕緣晶體管zui小化集電極到基板的寄生現象，避免其影響高頻率性能。
高速運算放大器設計技術的其它優(yōu)勢還包括：極低電壓系數的金屬－絕緣體－金屬 (MIM) 電容器、出色的電阻匹配 (0.1%)、可降低寄生電容的電介質絕緣 (DI)（或稱為絕緣硅體 (SOI)），以及很高的晶體管電流增益乘以爾利電壓 (βoVA) 得到更高的放大器增益。
此外，該工藝還包括 CMOS FET，可使高度復雜的數字功能集成在芯片上，并具有出色的模擬性能。
NPN 與 PNP 雙極管
該技術的主要組件為雙極管。對于使用互補設計的高性能模擬應用，使 NPN 與 PNP 的 fT 性能合理正確地匹配（因數在 2 以內）極為有用。除高 fT 之外，高速線性運算放大器以有其它信號調節(jié)電路也需要高晶體管增益，主要特點簡而言之就是 βoVA 的積。增加 VA 通常以 fT 為代價，因為這需要提高基的摻雜級，因而導致移動性降低，并增加了發(fā)射極電容。添加鍺可以增強基場 (field)，從而抵消上述影響，這樣在提高 VA 同時可得到更大的 fT。改進的基極電阻 (rb)、瞬時頻率 (fT) 以及寄生結電容 (cjc 與 cjs) 參數提高了內在寄生極的頻率，這就實現了更高的帶寬運行?；パa SiGe 雙極管可實現對稱架構，且實現低失真要求，功耗極低。此外，晶體管較小的基極電阻可使等效輸入噪聲電壓較低。典型的雙極管特性見表 1。此外，圖 1 顯示了截面視圖。